KSPB – Halbleiter-Dehnungsmessstreifen
(P-dotiert)
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Diese Halbleiter-DMS zeigen hohe Stabilität beim Messen von Dehnungen oder als Sensoren in Hochleistungsaufnehmern.
Bei der Gitterform F2 bilden die beiden aus p- und n-Silizium bestehenden Mess-elemente eine temperaturkompensierende Halbbrücke, geeignet für Dehnungsmessungen an Stählen mit einem Wärmeausdehnungskoeffizienten von 11x10-6/K.
Spezifikationen
- Materialien Widerstandselement
-
P dotiertes Silizium
- Trägermaterial
-
Polyimide
- Anwendungstemperatur in Verbindung mit dem Klebstoff nach Aushärtung
-
CC-33A: -50 bis 120 ºC
EP-340: -50 bis 150 ºC
°C
- Betriebstemperatur in Kombination mit Anschlusskabeln
-
Versilberte Kupferdrähte: -50 bis 150 ºC
°C
- Max. Dehnung bei Zimmertemperatur
-
Ultra-small strain measurement, For sensing element of highly sensitive transducers: 0.3 Ultra-small strain; 2-element, temperature-compensation type: 0.15
%
- Ermüdungslebensdauer bei Normaltemperatur (Lastwechsel)
-
2x106
timesI
KSPB Linearstreifen
(120 Ohm)
KSPB Linearstreifen 2-teilig
(120 Ohm)
KSPB Linearstreifen
(350 Ohm)
KSPB Linearstreifen
(1000 Ohm)
Produkte
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1
KSPB Linearstreifen(120 Ohm)
KSPB-2-120-E3
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